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ÄÉÀÌÀ̾¾, SiC ±â¹ÝÀÇ ¡®Schottky Barrier Diode¡¯ ½ÃÁ¦Ç° Ãâ½Ã

¹ÝµµÃ¼ Àü¹® ±â¾÷ KEC(´ëÇ¥ÀÌ»ç È²Ã¢¼·)°¡ ½Ç¸®ÄÜÄ«¹ÙÀ̵å(ÀÌÇÏ SiC) ±â¹ÝÀÇ ¼îƮŰ ¹è¸®¾î ´ÙÀÌ¿Àµå(ÀÌÇÏ SBD) ½ÃÁ¦Ç°À» Ãâ½ÃÇÑ´Ù°í 13ÀÏ ¹àÇû´Ù.

KEC°¡ À̹ø ¹ßÇ¥ÇÑ ½ÃÁ¦Ç°Àº ±âÁ¸ ½Ç¸®ÄÜ ¹ÝµµÃ¼¿¡ ºñÇØ ¿¡³ÊÁö ¹êµå°¸ÀÌ ³Ð°í, Àý¿¬Æı«Àü°è°¡ ³ôÀ¸¸ç, ¿­ÀüµµÀ²ÀÌ ¿ì¼öÇÏ¿© ´ëÀü·Â ¹ÝµµÃ¼ ±¸ÇöÀ» °¡´ÉÄÉ Çϸç, À̴ °ð ±â±âÀÇ ¼ÒÇüÈ­·ÀúÀü·ÂÈ­·°íÈ¿À²È­¿¡ ±â¿©ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ Á¾·¡ÀÇ ¿Ü±¹(¹Ì±¹, µ¶ÀÏ, ÀϺ») Á¦Ç°¿¡¸¸ ÀÇÁ¸Çß´ø ÇѰ踦 ±Øº¹ÇÏ°í ±¹»êÈ­¸¦ À̷ﳿÀ¸·Î½á, ±¹³» Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå¿¡ È°·ÂÀ» ºÒ¾î³ÖÀ» °ÍÀ¸·Î º¸ÀδÙ.

KEC´Â SiC ´ëÀü·Â ¹ÝµµÃ¼½ÃÀåÀº 2020³â¿¡ º»°ÝÈ­µÇ¾î 2022³â 10¾ï´Þ·¯, ¿¬Æò±Õ¼ºÀå·üÀº 40%·Î ±â´ëµÈ´Ù°í Àü¸ÁÇß´Ù. À̴ Green TechnologyÀÇ ºÎ°¢°ú ¸Â¹°¸° Àü±âÀÚµ¿Â÷ ¹× Å¾籤 ¹ßÀü»ê¾÷ µîÀÇ ±ÞºÎ»óÀ¸·Î ÀÎÇÑ °á°ú¶ó°í º¼ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, ÀÌ¿¡ µû¶ó KECµµ ÇâÈÄ Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¸®µù ¾÷ü·Î °Åµì³ª±â À§ÇØ SiC¿¡ ÁÖ·ÂÇÏ°í ÀÖ´Ù°í ¼³¸íÇß´Ù.

KEC´Â ÇöÀç ‘Àü±âÀÚµ¿Â÷¿Í ½ÅÀç»ý¿¡³ÊÁö¿ë Â÷¼¼´ë Àü·Â¹ÝµµÃ¼(SiC) ¼ÒÀÚ°³¹ß’ ±¹Ã¥°úÁ¦¿¡ Âü¿©ÇÏ¿© SiC MOSFET ±â¼úÈ®º¸¿¡ ÁÖ·ÂÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ³»³â±îÁö Á¦Ç° »ó¿ëÈ­¸¦ ÃßÁøÇÒ °èȹÀÌ´Ù. ¶ÇÇÑ SiC Àü·Â¹ÝµµÃ¼ Á¶±â ¾ç»êüÁ¦ ±¸Ãà°ú À̹ø SBD line-upÀÇ Ãß°¡È®º¸¸¦ ÅëÇØ ÇâÈÄ Â÷¼¼´ë ´ëÀü·Â¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå ¹× °ü·Ã ºÐ¾ß¿¡¼­ ¼±µµÀûÀΠ±â¾÷À¸·ÎÀÇ ¼ºÀåÀ» ¸ñÇ¥·Î ÇÏ°í ÀÖ´Ù°í ¹àÇû´Ù.

KEC °³¿ä

¹ÝµµÃ¼ Àü¹® ±â¾÷ KEC(´ëÇ¥ È²Ã¢¼·)´Â 1969³â Ã¢¾÷ ÀÌ·¡ 50³â°£ ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿¡ ¿ª·®À» ÁýÁßÇؿ ÀüÀÚºÎÇ° Àü¹® ±â¾÷À¸·Î ±¹³»¿Ü À¯¼öÀÇ ÀüÀÚ ¾÷üµé·ÎºÎÅÍ ±× Ç°Áú°ú ±â¼ú·ÂÀ» ÀÎÁ¤¹Þ°í ÀÖ´Ù. KEC´Â 4Â÷ »ê¾÷Çõ¸íÀÇ ¹°°á¿¡ ¹ß¸ÂÃ߾º¸¶Æ®Æù, °¡Àü µîÀÇ ÄÁ½´¸Ó ½ÃÀå¿¡¼­ Â÷·®¿ë, »ê¾÷¿ë ¹ÝµµÃ¼ Àü¹® ±â¾÷À¸·ÎÀÇ º¯½ÅÀ» ¹ß ºü¸£°Ô ÁøÇàÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ±× ÀÔÁö¸¦ ³ÐÇô°¡°í ÀÖ´Ù.

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